近年来高熵陶瓷因其优异的物理化学性能而备受关注。相较传统陶瓷材料，高熵陶瓷具有相稳定、热导率低、电导率高等优点。基于此，厦门稀土材料研究所杨帆课题组分别设计开发了新型（La_0.2Y_0.2Nd_0.2Gd_0.2Sr_0.2）CrO₃ 高熵导电陶瓷和（La_0.2Ce_0.2Gd_0.2Er_0.2Tm_0.2）₂（WO₄）₃ 辐射屏蔽高熵陶瓷。  

　　采用溶胶凝胶法结合部分烧结工艺制备 （La_0.2Y_0.2Nd_0.2Gd_0.2Sr_0.2）CrO₃ 多孔导电高熵陶瓷，其具有高孔隙率、低电阻率、低热导率等特点，可用于新一代催化剂载体、发热器件和热电材料等。该研究成果以全文形式发表在《Journal of Alloys and Compounds》期刊上（https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.158763）发表，第一作者为在读硕士张雪松，杨帆研究员为通讯作者。

　　随着核能的发展，开发一种无毒、轻质、可同时屏蔽中子和γ射线的新型辐射屏蔽材料的需求愈发紧迫。稀土元素因具有优异的耐辐照能力（Ce）、大的热中子俘获截面（Sm、Eu、Gd）、轻毒及无弱吸收区等特点，可作为铅基屏蔽材料的良好替代。杨帆课题组采用高温固相合成制备（La_0.2Ce_0.2 Gd_0.2Er_0.2Tm_0.2）₂（WO₄）₃ 高熵陶瓷粉体并与环氧树脂进行复合得到辐射屏蔽材料。中子照相结果显示，2 cm 厚度的复合材料的中子阻隔效率大于 99%。γ射线屏蔽测试表明，该材料在铅的弱吸收区（44 - 80 keV）具有很高的铅当量（0.4340 mmPb），在中低能区的线性衰减系数明显高于Ta₂O₅、Bi₂O₃、HfO₂、WO₃等重金属氧化物。 该成果以全文形式在SCI一区期刊 《Materials & Design》 上（https://doi.org/10.1016/j.matdes.2021.109722） 发表,第一作者为在读硕士张雪松，杨帆研究员为通讯作者。

　　研究工作得到国家重点研发计划、中国科学院计划-战略性先导科技专项A、厦门市科技计划项目等的支持，并于中国核动力研究设计院展开深入合作。